SOLID-STATE HIGH-FREQUENCY ပါဝါထောက်ပံ့မှု အမျိုးအစားခွဲခြင်း

ကြိမ်နှုန်းမြင့်လေဟာနယ်ကဲ့သို့ပင်၊ အခြေခံမူများသည် ဆင်တူသော်လည်း၊ အသုံးပြုမှု၊ အစိတ်အပိုင်းများ၊ ပါဝါနှင့် ကြိမ်နှုန်းစသည့် မတူညီသော လိုအပ်ချက်အလိုက် အမျိုးအစားအမျိုးမျိုးသို့ အမျိုးအစားခွဲခြားနိုင်သည်။ Solid state မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းကိုလည်း အမျိုးအစားခွဲခြားနိုင်သည်။

1. ဗို့အားထိန်းညှိမှုဖြင့် အမျိုးအစားခွဲထားသည်- Thyristors(SCR) ကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း ပြုပြင်ခြင်းနှင့် ဗို့အားထိန်းညှိခြင်းတို့ကို ပြီးမြောက်ရန်၊ သို့မဟုတ် ဦးစွာ diode သို့မဟုတ် thyristors များကို ပြန်လည်ပြင်ဆင်ပြီးနောက် IGBT ထိန်းညှိဗို့အားကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ IGBT ထိန်းညှိဗို့အားကိုအသုံးပြုခြင်းသည် စက်ပစ္စည်းအချက်အလတ်များ တိုးတက်စေရန်အတွက်ဖြစ်သည်။ လျှပ်စစ်ကို ချွေတာနိုင်ပြီး ဂဟေဆက်ခြင်းအရည်အသွေးကို ပိုမိုတိုးတက်စေပါသည်။

2. input terminal အရ transformer တွင် transformer ရှိသည် သို့မဟုတ် မပါပါက အမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲခြားနိုင်သည်၊ အကယ်၍ ရှေ့ဘက်တွင် transformer မရှိပါက ပုံမှန်အားဖြင့် back-back high frequency part သည် inductor နှင့် grid အကြားအထီးကျန်မှုကို သိရှိနိုင်ရန် high frequency transformer ကို ပေါင်းထည့်မည်ဖြစ်သည်။ Input Transformer ကိရိယာများ ရှိပါက ပြင်ပဆီနှစ်မြှုပ်ထားသော ထရန်စဖော်မာနှင့် အခြောက်ထရန်စဖော်မာကို ပိုင်းခြားပေးမည်ဖြစ်သည်။

3. အင်ဗာတာတံတားတွင်အသုံးပြုသည့် အစိတ်အပိုင်းများအရ ဗို့အားနိမ့် MOS (field effect transistor)၊ high-voltage MOS၊ IGBT(lnsulated Gate Bipolar Transistor) နှင့် အခြားဗို့အားမြင့် MOS ပဲဖြစ်ဖြစ်၊ အမျိုးအစားအသစ် SIC-MOS အစိတ်အပိုင်းများသည် ၎င်းတို့ကို အစားထိုးနိုင်ပါသည်။ IGBT တွင်လည်း ဗို့အားမြင့် နှင့် ဗို့အားနိမ့် စသည်တို့ပါရှိသည်။ Sic MOS တွင် ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း၊ ဗို့အားကိုခံနိုင်ရည်မြင့်မားခြင်း၊ မြန်ဆန်သောကူးပြောင်းမှုအကြိမ်ရေ စသည်တို့ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ပုံမှန် MOS အစိတ်အပိုင်းများ၏ လက်ရှိအစားထိုး အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။ ၊ IGBT သည် ကြိမ်နှုန်းနည်းပါးသောစက်ပစ္စည်းများအတွက် ပထမဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်လာနိုင်သည်။Sic အစိတ်အပိုင်းများကို ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီထုတ်ကုန်များ၏စီးရီးအားလုံးတွင်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ နှင့် site verification များစွာပြီးနောက်တွင် သုံးစွဲသူများသည် ယုံကြည်စိတ်ချစွာရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။

4. resonant tank circuit ၏ မတူညီသော ချိတ်ဆက်မှုအရ၊ ၎င်းကို အောက်ပါ တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း စီးရီးနှင့် parallel ဟူ၍ နှစ်မျိုး ခွဲခြားထားသည်။

5. တပ်ဆင်ခြင်းနည်းလမ်းအရ၊ သီးခြားဂဟေဆော်ခြင်း နှင့် ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသော ဂဟေဆော်ခြင်းဟူ၍ နှစ်မျိုးရှိပါသည်။ သီးခြားဂဟေဆော်ခြင်းဆိုသည်မှာ rectifier နှင့် inverter သည် ဗီရိုနှစ်လုံးကို သီးခြားစီပြုလုပ်ခြင်းဖြစ်သည်။ Compact welder ကိုဆိုလိုသည်မှာ rectifier cabinet နှင့် inverter cabinet သည် all-in-one cabinet ဖြစ်သည် ။ series နှင့် parallel နှစ်ခုလုံးသည် welder နှင့် compact welder ကိုခွဲခြားထားသည်။ယေဘုယျအားဖြင့် power low-power equipment သည် compact welder ကိုရွေးချယ်ပြီး ကြီးမားသော power equipment သည် သီးခြား welder ကိုရွေးချယ်သည်။

6. လက်ရှိစျေးကွက်တွင်၊ စီးရီးပဲ့တင်ရိုက်ခတ်မှုသည် ပုံမှန်အားဖြင့် ဗို့အားမြင့် MOS သို့မဟုတ် IGBT ကိုအသုံးပြုပြီး အပြိုင်ပဲ့တင်ရိုက်ခတ်မှုနည်းပါးသော ဗို့အား MOS ကိုအသုံးပြုပါသည်။ စီးရီးလိုက်ပဲ့တင်ရိုက်ခတ်မှုအတွက် ထည့်သွင်းသည့်အဆင့်-ဆင်းထရန်စဖော်မာမရှိသော်လည်း ကြိမ်နှုန်းမြင့်သောထရန်စဖော်မာသည် နောက်ပြန်အင်ဗာတာတံတားကို တပ်ဆင်ရန် လိုအပ်မည်ဖြစ်သည်။ အပြိုင်အတွက်၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းအချို့သည် input step-down transformer လိုအပ်ပြီး အချို့မှာ voltage regulation ကို ပြုပြင်ပြီးနောက် ကြိမ်နှုန်းမြင့် transformer လိုအပ်ပါသည်။

မတူညီသော ကြိမ်နှုန်းမြင့် ပါဝါရင်းမြစ် အမျိုးအစားအားလုံးတွင် ၎င်း၏ ကိုယ်ပိုင်လက္ခဏာများ ရှိပါသည်၊ အောက်ပါ ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီစက်ပစ္စည်းများတွင် အသေးစိတ်ဖော်ပြချက် ပါရှိမည်ဖြစ်ပါသည်။