Solid State မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်း အလုပ်လုပ်ခြင်းဆိုင်ရာ အခြေခံမူ

"solid state high frequency" ဟုခေါ်တွင်ရခြင်းမှာ ၎င်းသည် transistors (MOS field effect transistors သို့မဟုတ် IGBT) ကို အဓိက အင်ဗာတာ အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် အသုံးပြုထားသောကြောင့် ဖြစ်သည်။ လေဟာနယ်ပြွန်များနှင့် မတူဘဲ အခေါင်းပေါက်များ (အတွင်းပိုင်းသည် မြင့်မြတ်သောဓာတ်ငွေ့များနှင့် ပြည့်နေသောကြောင့် "gaseous" ဟုခေါ်သည်)၊ ထရန်စစ္စတာများသည် အစိုင်အခဲဖြစ်သည်။

Solid state high frequency သည် vacuum tube high frequency ၏ မွမ်းမံထားသော ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်ပြီး ၎င်း၏ main circuit သည် thyristor medium frequency နှင့် ဆင်တူသော်လည်း vacuum tube high frequency နှင့် ကွဲပြားသည်။ ၎င်း၏ အခြေခံသဘောတရားမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။ 

ပုံမှန်သုံးအဆင့် AC (380V နှင့် frequency 50HZ China) သည် rectifying circuit (SCR သို့မဟုတ် diode နှင့် IGBT) ဖြင့် ချိန်ညှိနိုင်သော ဗို့အား pulsating DC အဖြစ်သို့ပြောင်းသည်)၊ ဤ DC သည် စစ်ထုတ်ထားသည် သို့မဟုတ် လှိုင်းပြား DC ချောချောမွေ့မွေ့ဖြစ်လာပြီးနောက် အင်ဗာတာတံတား (ကြီးမားသောပါဝါထရန်စစ္စတာ MOSFET သို့မဟုတ် IGBTquency ကိုအသုံးပြု၍) မြင့်မားသောလက်ရှိဖြစ်လာသည်။ ဤမြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းလျှပ်စီးကြောင်းအား သတ္တုအပူပေးရန်အတွက် တိုင်ကီဆားကစ်အား ပဲ့တင်ထပ်ခြင်းအတွက် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ အင်ဗာတာတံတားပါဝါယူနစ်များသည် မော်ဂျူလာဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံအား လက်ခံပါသည်။ ပါဝါ module တစ်ခုစီသည် အတူတူပင်ဖြစ်ပါသည်။သို့သော်အသုံးပြုသောပါဝါ module အရေအတွက်သည် စက်ပစ္စည်းပါဝါပေါ်မူတည်၍ ကွဲပြားပါသည်။ ပစ္စည်းကြီးသည်ဖြစ်စေ၊ သေးငယ်သည်ဖြစ်စေ အခြေခံအားဖြင့် တည်ဆောက်ပုံမှာ တူညီပါသည်။ resonant tank circuit သည် series သို့မဟုတ် parallel form ဖြစ်သည်။ ဗို့အားနှင့်အပြိုင် အသွင်ပြောင်းသည့်အဆင့်တွင် အထွက်မရှိပါ။

မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းလေဟာနယ်ပြွန်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ အစိုင်အခဲအခြေအနေ မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းကိရိယာများ၏ အားသာချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

1. ကောင်းမွန်သော ဂဟေအရည်အသွေး- အစိုင်အခဲအခြေအနေ မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းကိရိယာဖြင့် ဂဟေဆော်ထားသော သံမဏိပိုက်များသည် တူညီသော ဂဟေဆက်ထားသော အကျယ်နှင့် အပူရှိပြီး အတွင်းပိုင်းနှင့် ပြင်ပ burrs နည်းပါးကြောင်း ပြသသည်

2. စွမ်းအင်ချွေတာခြင်း- တူညီသောသတ်မှတ်ချက်များသည် ဤဂဟေဆော်သူသည် လေဟာနယ်ပြွန်စက်ကိရိယာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက လျှပ်စစ်ဓာတ်အား 25% ထက်ပို၍ သက်သာစေကြောင်း ပြသသည်

3.ရေကိုချွေတာခြင်း- သေးငယ်ခြင်းကြောင့် ကိုယ်တိုင်ဆုံးရှုံးမှု၊ အအေးခံရေအလွန်အကျွံ မလိုအပ်သောကြောင့် ၎င်းသည် တူညီသောသတ်မှတ်ချက်များရှိသည့် လေဟာနယ်ပြွန်စက်များထက် ရေ 50% ထက် ပိုနည်းသည်။

4. သေးငယ်သောအရွယ်အစားနှင့် ပေါ့ပါးသောအလေးချိန်- အဓိကအစိတ်အပိုင်းများ (MOSFET) ၏သေးငယ်သောအရွယ်အစားကြောင့် welding transformer.filament regulators.matching coils.gate circuits.etc။ ထို့ကြောင့် တစ်ခုလုံး၏ ထုထည်သည် 50°/4 ထက်ပိုပါသည်။ တူညီသောသတ်မှတ်ချက်များရှိသည့် လေဟာနယ်ပြွန် ကိရိယာများထက် သေးငယ်သည်

5. လည်ပတ်ရန်လွယ်ကူသည်- ဗို့အားမရှိပါ၊ အမြင့်ဆုံးဗို့အားသည် ရာဂဏန်းဗို့ထက်မကျော်လွန်ပါ၊ ထို့ကြောင့် ပုဂ္ဂိုလ်ရေးထိခိုက်မှုမဖြစ်စေပါ။