SiC-MOSFET

တတိယမျိုးဆက် Semiconductor ပစ္စည်းများ

နည်းပညာတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ မကြာသေးမီက solid state high frequency welder သည် SiC-MOSFET ဟုခေါ်သော တတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းကို လက်ခံရရှိခဲ့သည်။

တတိယမျိုးဆက် Semiconductor ပစ္စည်းများ SiC-MOSFET စွမ်းဆောင်ရည် လက္ခဏာများ

1. မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ဖိအားကိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း- SiC သည် Si ထက် 3 ဆခန့် ကျယ်ပြန့်သော band ကွာဟချက်ရှိသောကြောင့် မြင့်မားသောအပူချိန်အခြေအနေအောက်တွင်ပင် တည်ငြိမ်စွာလည်ပတ်နိုင်သော ပါဝါပစ္စည်းများကို သိရှိနိုင်သည်။ SiC ၏ insulation breakdown field strength သည် Si ထက် 10 ဆ ဖြစ်သောကြောင့် Si ကိရိယာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုပါးလွှာသော ဖလင်အထူ ပျံ့ပျံအလွှာဖြင့် ဗို့အားမြင့် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများကို ဖန်တီးနိုင်သည်။

2. စက်အသေးစားနှင့် ပေါ့ပါးခြင်း- Silicon carbide စက်ပစ္စည်းများသည် အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ပါဝါသိပ်သည်းဆ ပိုမိုမြင့်မားပြီး စက်ပစ္စည်းအသေးစားနှင့် ပေါ့ပါးမှုရရှိစေရန် အပူထုတ်လွှတ်မှုစနစ်ကို ရိုးရှင်းစေနိုင်သည်။

3. ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားခြင်း- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကိရိယာများ၏ လုပ်ဆောင်မှုအကြိမ်ရေသည် ဆီလီကွန်အခြေခံစက်ပစ္စည်းများထက် 10 ဆအထိရောက်ရှိနိုင်ပြီး စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှု 50% နီးပါးကို လျှော့ချပေးနိုင်သည့် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို 50% နီးပါးလျှော့ချပေးနိုင်သည့် လုပ်ငန်းခွင်ကြိမ်နှုန်းတိုးလာခြင်းဖြင့် ထိရောက်မှုလျော့နည်းသွားမည်မဟုတ်ပေ။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ကြိမ်နှုန်းတိုးလာခြင်းကြောင့်၊ inductance နှင့် ထရန်စဖော်မာကဲ့သို့သော အရံအစိတ်အပိုင်းများ၏ ထုထည်ပမာဏ လျော့ကျသွားပြီး စနစ်၏ဖွဲ့စည်းမှုအား လျှော့ချပြီးနောက် ထုထည်နှင့် အခြားအစိတ်အပိုင်းများ ကုန်ကျစရိတ်များသည်။

SiC-MOSFET