Solid-State High-frequENCY ပါဝါထောက်ပံ့မှု အမျိုးအစားခွဲခြင်း

ကြိမ်နှုန်းမြင့်လေဟာနယ်ကဲ့သို့ပင်၊ အခြေခံမူများသည် ဆင်တူသော်လည်း၊ အသုံးပြုမှု၊ အစိတ်အပိုင်းများ၊ ပါဝါနှင့် ကြိမ်နှုန်းစသည့် မတူညီသော လိုအပ်ချက်အလိုက် အမျိုးအစားအမျိုးမျိုးသို့ အမျိုးအစားခွဲခြားနိုင်သည်။ Solid state မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းကိုလည်း အမျိုးအစားခွဲခြားနိုင်သည်။

1. ဗို့အားထိန်းညှိမှုဖြင့် အမျိုးအစားခွဲခြားထားသည်- Thyristors (SCR) ကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း ပြုပြင်ခြင်းနှင့် ဗို့အားထိန်းညှိခြင်းတို့ကို ပြီးမြောက်ရန်၊ သို့မဟုတ် ဦးစွာ diode သို့မဟုတ် thyristors များကို ပြုပြင်ရန်အတွက် အသုံးပြုပြီးနောက် IGBT ထိန်းညှိဗို့အားကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ IGBT ထိန်းညှိဗို့အားကိုအသုံးပြုခြင်းသည် စက်ပစ္စည်းအချက်အလတ်များ တိုးတက်စေရန်အတွက်ဖြစ်သည်။ လျှပ်စစ်ကို ချွေတာနိုင်ပြီး ဂဟေဆက်ခြင်းအရည်အသွေးကို ပိုမိုတိုးတက်စေပါသည်။

2. input terminal အရ transformer တွင် transformer ရှိသည် သို့မဟုတ် နှစ်မျိုးခွဲခြားနိုင်သည် ၊ front transformer မရှိလျှင် ပုံမှန်အားဖြင့် after-back high frequency part သည် inductor နှင့် grid အကြား အထီးကျန်မှုကို သိရှိစေရန် high frequency transformer ကို ပေါင်းထည့်မည်ဖြစ်သည်။ Input Transformer ကိရိယာများ ရှိပါက ပြင်ပဆီနှစ်မြှုပ်ထားသော ထရန်စဖော်မာနှင့် အခြောက်ထရန်စဖော်မာကို ပိုင်းခြားပေးမည်ဖြစ်သည်။

3. အင်ဗာတာတံတားတွင် အသုံးပြုသည့် အစိတ်အပိုင်းများအရ၊ ဗို့အားနိမ့် MOS (field effect transistor)၊ high-voltage MOS၊ IGBT(lnsulated Gate Bipolar Transistor) စသည်တို့ ရှိပါသည်။ ဗို့အားမြင့်သော သို့မဟုတ် ဗို့အားနိမ့် MOS ပဲဖြစ်ဖြစ်၊ အမျိုးအစားအသစ် SIC-MOS အစိတ်အပိုင်းများသည် ၎င်းတို့အစား ဗို့အားမြင့်ပြီး IGOS စသည်တို့တွင် အားသာချက်ရှိပါသည်။ နိမ့်ကျခြင်း၊ ဗို့အားခံနိုင်ရည်မြင့်မားခြင်း၊ အမြန်ပြောင်းခြင်းအကြိမ်ရေ စသည်တို့ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ပုံမှန် MOS အစိတ်အပိုင်းများ၏ လက်ရှိ အစားထိုးအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်ပြီး ကြိမ်နှုန်းနည်းပါးသောစက်ပစ္စည်းများအတွက် ပထမဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်လာစေရန် IGBT ကို အစားထိုးနိုင်ပါသည်။Sic အစိတ်အပိုင်းများကို ကျွန်ုပ်တို့ကုမ္ပဏီ၏ထုတ်ကုန်စီးရီးအားလုံးတွင်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ဆိုက်အများအပြားတွင် verification.ပြီးနောက် သုံးစွဲသူများယုံကြည်စိတ်ချစွာရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။

4. resonant tank circuit ၏ မတူညီသော ချိတ်ဆက်မှုအရ၊ ၎င်းကို အောက်ပါ တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း စီးရီးနှင့် အပြိုင်ဟူ၍ နှစ်မျိုး ခွဲခြားထားသည်။

5. တပ်ဆင်ခြင်းနည်းလမ်းအရ၊ သီးခြားဂဟေဆော်ခြင်းနှင့် ကျစ်လစ်သောဂဟေဆော်ခြင်းဟူ၍ နှစ်မျိုးရှိသည်။ သီးခြားဂဟေဆော်ခြင်းဆိုသည်မှာ rectifier နှင့် inverter သည် ဗီဒိုနှစ်ခုကို သီးခြားစီပြုလုပ်ခြင်းဖြစ်သည်။ Compact welder ကိုဆိုလိုသည်မှာ rectifier cabinet နှင့် inverter cabinet သည် all-in-one cabinet ဖြစ်သည် ။ series နှင့် parallel နှစ်ခုလုံးသည် welder နှင့် compact welder ကိုခွဲခြားထားသည်။ယေဘုယျအားဖြင့် power low-power equipment သည် compact welder ကိုရွေးချယ်ပြီး ကြီးမားသော power equipment သည် သီးခြား welder ကိုရွေးချယ်သည်။

6. လက်ရှိစျေးကွက်တွင်၊ စီးရီးပဲ့တင်ရိုက်ခတ်မှုသည် ပုံမှန်အားဖြင့် ဗို့အားမြင့် MOS သို့မဟုတ် IGBT ကိုအသုံးပြုပြီး အပြိုင်ပဲ့တင်ရိုက်ခတ်မှုနည်းပါးသော ဗို့အားနိမ့် MOS ကိုအသုံးပြုပါသည်။ စီးရီးပဲ့တင်ရိုက်ခတ်မှုအတွက် ထည့်သွင်းသည့်အဆင့်-ဆင်းထရန်စဖော်မာမရှိသော်လည်း ကြိမ်နှုန်းမြင့်သောထရန်စဖော်မာသည် အင်ဗာတာတံတားကိုနောက်ပြန်ထားရန် လိုအပ်ပါမည်။ ကြိမ်နှုန်းမြင့်သောအပြိုင်အတွက် အချို့သော input step-down transformer နှင့် voltage မြင့်သော frequion ပြီးနောက် transformer လိုအပ်ပါသည်။

မတူညီသော ကြိမ်နှုန်းမြင့် ပါဝါရင်းမြစ် အမျိုးအစားအားလုံးတွင် ၎င်း၏ ကိုယ်ပိုင်လက္ခဏာများ ရှိပါသည်၊ အောက်ပါ ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီစက်ပစ္စည်းများတွင် အသေးစိတ်ဖော်ပြချက် ပါရှိမည်ဖြစ်ပါသည်။