SiC-MOSFET Solid State High Frequency Pipe Welder

နည်းပညာတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ မကြာသေးမီက solid state high frequency welder သည် SiC-MOSFET ဟုခေါ်သော တတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းကို လက်ခံရရှိခဲ့သည်။

Third Generation Semiconductor Materials SiC-MOSFET စွမ်းဆောင်ရည် လက္ခဏာများ

1. မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ဖိအားကိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း- SiC သည် Si ထက် 3 ဆခန့် ကျယ်ပြန့်သော band ကွာဟချက်ရှိသောကြောင့် မြင့်မားသောအပူချိန်အခြေအနေအောက်တွင်ပင် တည်ငြိမ်စွာလည်ပတ်နိုင်သော ပါဝါပစ္စည်းများကို သိရှိနိုင်သည်။ SiC ၏ insulation breakdown field strength သည် Si ထက် 10 ဆ ဖြစ်သောကြောင့် Si ကိရိယာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုပါးလွှာသော ဖလင်အထူ ပျံ့ပျံအလွှာဖြင့် ဗို့အားမြင့် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများကို ဖန်တီးနိုင်သည်။

2. စက်အသေးစားနှင့် ပေါ့ပါးခြင်း- Silicon carbide စက်ပစ္စည်းများသည် အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ပါဝါသိပ်သည်းဆ ပိုမိုမြင့်မားပြီး စက်ပစ္စည်းအသေးစားနှင့် ပေါ့ပါးမှုရရှိစေရန် အပူထုတ်လွှတ်မှုစနစ်ကို ရိုးရှင်းစေနိုင်သည်။

3. ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားခြင်း- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကိရိယာများ၏ လုပ်ဆောင်မှုအကြိမ်ရေသည် ဆီလီကွန်အခြေခံစက်ပစ္စည်းများထက် 10 ဆအထိရောက်ရှိနိုင်ပြီး စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှု 50% နီးပါးကို လျှော့ချပေးနိုင်သည့် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို 50% နီးပါးလျှော့ချပေးနိုင်သည့် လုပ်ငန်းခွင်ကြိမ်နှုန်းတိုးလာခြင်းဖြင့် ထိရောက်မှုလျော့နည်းသွားမည်မဟုတ်ပေ။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ကြိမ်နှုန်းတိုးလာခြင်းကြောင့်၊ inductance နှင့် ထရန်စဖော်မာကဲ့သို့သော အရံအစိတ်အပိုင်းများ၏ ထုထည်ပမာဏ လျော့ကျသွားပြီး စနစ်၏ဖွဲ့စည်းမှုအား လျှော့ချပြီးနောက် ထုထည်နှင့် အခြားအစိတ်အပိုင်းများ ကုန်ကျစရိတ်များသည်။

SiC-MOSFET Solid State High Frequency Pipe Welder အားသာချက်များ

1.60% lower loss than Si-MOSFET devices,welder inverter efficiency increases more than 10%,welding efficiency increases more than 5%.

2.Single SiC-MOSFET ပါဝါသိပ်သည်းဆသည် ကြီးမားသည်၊ တပ်ဆင်ထားသော ပမာဏကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် လျှော့ချသည်၊ ၎င်းသည် မှားယွင်းသောအချက်များနှင့် ပြင်ပလျှပ်စစ်သံလိုက်ရောင်ခြည်များကို တိုက်ရိုက်လျှော့ချပေးပြီး အင်ဗာတာပါဝါယူနစ်၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးတက်စေသည်။

3.SiC-MOSFET withstand voltage higher than original Si-MOSFET, welder DC rated voltage has been increased accordingly under the premise of ensuring safety(280VDC for parallel resonant welder and 500VDC for series resonant welder).Power factor of the grid side ≥ 0.94.

4.New SiC-MOSFET စက်ပစ္စည်းဆုံးရှုံးမှုသည် Si-MOSFET ၏ 40% သာဖြစ်ပြီး၊ အချို့သောအအေးခံမှုအခြေအနေအောက်တွင်၊ ကူးပြောင်းခြင်းအကြိမ်ရေသည် ပိုမိုမြင့်မားနိုင်သည်၊ စီးရီးလိုက်ပဲ့တင်ထပ်သော Si-MOSFET ဂဟေဆော်သူသည် ကြိမ်နှုန်းနှစ်ဆတိုးလာသောနည်းပညာကိုလက်ခံသည်၊ SiC-MOSFET သည် တိုက်ရိုက်ဒီဇိုင်းနှင့်ထုတ်လုပ်နိုင်သည် 600KHz မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းဂဟေဆော်သူ။

5.New SiC-MOSFET ဂဟေဆော်သူသည် DC ဗို့အားတိုးလာခြင်း၊ ဂရစ်ဘက်ခြမ်းပါဝါအချက်များ မြင့်မားခြင်း၊ AC လက်ရှိသေးငယ်ခြင်း၊ ဟာမိုနစ်လက်ရှိသေးငယ်ခြင်း၊ ပါဝါထောက်ပံ့ခြင်းနှင့် ဖြန့်ဖြူးခြင်းအတွက် ဖောက်သည်၏ကုန်ကျစရိတ်သည် အလွန်လျော့ကျသွားပြီး ပါဝါထောက်ပံ့မှုထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။